Tranzystory MOSFET PSMNxRx-80YSF NextPower z kanałem typu N

PSMNxRx-80YSF NextPower firmy Nexperia to tranzystory MOSFET a napięciu 80V z kanałem typu N i standardowym sterowaniem bramką. Tranzystory te mają niskie Qrr, co zapewnia wyższą wydajność i niższe skoki. PSMNxRx-80YSF zapewniają niskie QG × RDSon FOM, co umożliwia stosowanie ich w projektach wymagających wysokowydajnego przełączania. Typowe zastosowania to sterowanie silnikami BLDC, adaptery USB-PD, przełącznik strony pierwotnej w DC-DC oraz prostownik synchroniczny w AC-DC i DC-DC.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Nexperia MOSFETs PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Karta charakterystyki
313Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 02.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 80 V 231 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Karta charakterystyki
2 568Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement