Zaawansowane sterowniki bramek IGBT/SiC GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Seria Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Napięcie izolacji Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 076Na stanie magazynowym
704Oczekiwane: 21.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 282Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 176
Wielokr.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 176
Wielokr.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray