TrenchT2™ Standard/HiPerFET™ Power MOSFETs

Littelfuse TrenchT2™ Standard and HiPerFET™ Power MOSFETs are enhancement mode, single- or dual-channel MOSFETs offering high current carrying capabilities (up to 600A). These devices feature a low drain-source on resistance (3.5mΩ to 22mΩ) and gate charge (25.5nC to 178nC) within a wide -55°C to +175°C operating temperature range. Available in various compact packages, the TrenchT2 MOSFETs are ideal for low voltage, high current power conversion systems.

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs DUAL PHASE LEGCONFIG 150V 53A MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 300
Wielokr.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 150 V 53 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 180 W TrenchT2 Tube
IXYS MOSFETs IXFA76N15T2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs TO268 100V 320A N-CH TRENCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 400
Wielokr.: 400
: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 154 nC 735 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA100N04T2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25.5 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA110N055T2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA200N055T2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA220N04T2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA230N075T2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement TrenchT2 Reel
IXYS MOSFETs IXTY90N055T2 TRL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 175 C 150 W TrenchT2 Reel