Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Opakowanie/obudowa Styl mocowania Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Maksymalne napięcie bramka–emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Kwalifikacje Opakowanie
onsemi IGBTs 600 V 80 A 79 W 575Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 600V 20A FSP IGBT 1 552Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 40 A 208 W - 55 C + 150 C FGB20N60S_F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT 10 389Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 150 C FGH40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2 983Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGH40N60SM_F085 AEC-Q101 Tube
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop 1 049Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60SFD Tube
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop 741Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60UFD Tube

onsemi IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
8 550Oczekiwane: 17.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGH60N60SMD Tube