Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVBG095N65S3F

Name: onsemi NVBG095N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG095N65S3F
Price: 27.74 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVBG095N65S3F

Nr prod.:

NVBG095N65S3F

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L

Karta charakterystyki:

NVBG095N65S3F Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVBG095N65S3F

Na stanie magazynowym: 483

Stany magazynowe:: 483 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	27,74 zł	27,74 zł
	18,96 zł	189,60 zł
	14,41 zł	1 441,00 zł
	13,46 zł	6 730,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	13,46 zł	10 768,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	36 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	95 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	66 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	272 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	4.2 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	19 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	23.8 ns
Seria:	NVBG095N65S3F
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	69.6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	29.2 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVBG095N65S3F Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVBG095N65S3F N-Channel SUPERFET® III MOSFET

onsemi NVBG095N65S3F N-Channel SUPERFET^® III MOSFET is a high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET that utilizes charge balance technology. This power MOSFET provides less conduction loss, superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rates. The NVBG095N65S3F N-Channel SUPERFET III MOSFET optimizes the reverse recovery performance of the body diode, which removes the additional component and improves system reliability. This MOSFET is AEC−Q101 qualified, PPAP capable, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include automotive on-board chargers and automotive DC/DC converters for BEV.