EVAL45W19VFLYBP7TOBO1

Infineon Technologies
726-EVAL45W19VFLYBP7
EVAL45W19VFLYBP7TOBO1

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools EVAL_45W_19V_FLYB_P7

Na stanie magazynowym: 2

Stany magazynowe:
2 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 169,26 zł 1 169,26 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS: N
Demonstration Boards
Power Supply Controller
90 VAC to 265 VAC
19 V
ICE2QS03G, IPA80R450P7, 2N7002
CoolMOS P7
Marka: Infineon Technologies
Wymiary: 100 mm x 37 mm x 26 mm
Prąd wyjścia: 2.36 A
Opakowanie: Bulk
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Nazwy umowne nr części: EVAL_45W_19V_FLYB_P7 SP001619668
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8473302000
CNHTS:
8543909000
CAHTS:
8543700000
USHTS:
8543709860
JPHTS:
854370000
ECCN:
EAR99

Development Tools

Infineon Development Tools offer a wide selection to enable the engineer's unique design, regardless of the target application. These range from LED lighting, power management, sensors, analog & digital ICs, communication, optoelectronic, and embedded development tools.

EVAL45W19VFLYBP7TOBO1 45W Adapter Demo Board

Infineon Technologies EVAL45W19VFLYBP7TOBO1 45W Adapter Demo Board is used to test the 800V CoolMOS™ P7 series of high voltage MOSFETs. The adapter uses ICE2QS03G, a second-generation current mode control quasi-resonant flyback controller, and an IPA80R450P7 800 V CoolMOS™ P7 series power MOSFET. The board is intended to be a form, fit, and function test platform for charger and adapter applications. The demo board is designed around a quasi-resonant flyback topology for improved switching losses which allows higher power density designs and lower radiated and conducted emissions.