CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 23
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
651Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
380Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Karta charakterystyki
846Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Karta charakterystyki
603Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si


Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
1 291Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
974Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
2 813Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
254Na stanie magazynowym
480Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
561Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
773Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
416Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
399Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
452Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
480Oczekiwane: 07.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 11.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
392Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
87Na stanie magazynowym
960Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Karta charakterystyki
410Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
148Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 11.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
707Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
1 440Oczekiwane: 12.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
3 120Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel