CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 23
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Karta charakterystyki
651Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Karta charakterystyki
959Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Karta charakterystyki
603Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
663Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel


Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
1 301Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
1 007Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
416Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
176Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 26.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
294Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
1 180Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
1 004Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
840Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
164Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
255Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 13.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
422Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Karta charakterystyki
68Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
173Na stanie magazynowym
960Oczekiwane: 07.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
159Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 12.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
80Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 05.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Karta charakterystyki
421Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
201Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
2 878Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Karta charakterystyki
446Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel