Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SGT3D5R10MEB

Name: STMicroelectronics SGT3D5R10MEB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT3D5R10MEB
Price: 13.44 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SGT3D5R10MEB

Nr prod.:

SGT3D5R10MEB

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SGT3D5R10MEB Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SGT3D5R10MEB

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	FCLGA-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	201 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 4 V to + 6 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.1 V
Qg – ładunek bramki:	6.3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	255 W
Tryb kanału:	Enhancement
Technologia:	GaN
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	3.84 ns
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Produkt:	Transistors
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Czas narastania:	6.08 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Rodzaj:	PowerGaN Transistor
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	5.12 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	2.56 ns
Jednostka masy:	78 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SGT3D5R10MEB Karta charakterystyki (PDF)

Kody zgodności

USHTS:: 8541600060
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Niedostępne
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor is a 100V, 201A e-mode transistor that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. This transistor features a high switching frequency, enabling compact, high‑power‑density designs with small passives and simplified thermal management. The SGT3D5R10MEB transistor operates at 2.7mΩ typical R_DS(ON) drain resistance and -40°C to +150°C operating junction temperature range. This PowerGaN Transistor is ideal for DC-DC converters, motor drivers, and solar system MPPT.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS

SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor

Offers extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation.

Dowiedz się więcej

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

Designed for high-efficiency and high-power switching applications.

Dowiedz się więcej

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor designed for high-efficiency power conversion applications.

Dowiedz się więcej

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

Built on GaN technology and designed for demanding power conversion applications.

Dowiedz się więcej

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

E-Mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications.

Dowiedz się więcej

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 500

Oczekiwane: 18.08.2026
Średni czas produkcji:: 24

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	13,44 zł	13,44 zł
	8,78 zł	87,80 zł
	6,38 zł	638,00 zł
	5,33 zł	2 665,00 zł
	4,96 zł	4 960,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,62 zł	13 860,00 zł
	4,24 zł	25 440,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

SGT3D5R10MEB

Produc.: STMicroelectronics

Opis: GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor Dokończ swój projekt

Specyfikacja

Dokumenty (1)

Karta charakterystyki

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

WYRÓŻNIONE PRODUKTY STMICROELECTRONICS

Dostępność

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor

Dokończ swój projekt

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS