Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NXH600B100H4Q2F2S1G

Name: onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G
Brand: onsemi
SKU: 863-600B100H4Q2F2S1G
Price: 721.67 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-600B100H4Q2F2S1G

Nr prod.:

NXH600B100H4Q2F2S1G

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

Karta charakterystyki:

NXH600B100H4Q2F2S1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G

Na stanie magazynowym: 36

Stany magazynowe:: 36 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	721,67 zł	721,67 zł
	701,16 zł	7 011,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły IGBT
Produkt:	Si/SiC Hybrid Modules
Konfiguracja:	Triple
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.88 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	173 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	350 nA
Pd – strata mocy:	422 W
Opakowanie/obudowa:	PIM-56
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tray
Marka:	onsemi
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Styl mocowania:	Screw Mount
Rodzaj produktu:	IGBT Modules
Seria:	NXH600B100H4Q2F2S1G
Wielkość opakowania producenta:	36
Podkategoria:	IGBTs
Technologia:	SiC, Si
Nazwa handlowa:	EliteSiC

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXH600B100H4Q2F2S1G Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module

onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module is a three-channel flying capacitor boost module. Each channel contains two 1000V, 200A IGBTs, and two 1200V, 60A SiC diodes. The module also contains an NTC thermistor. Applications include solar inverters and uninterruptible power supply systems.