SIHH070N60EF-T1GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHH070N60EFT1GE3
SIHH070N60EF-T1GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIHH070N60EF-T1GE3

Na stanie magazynowym: 3 179

Stany magazynowe:
3 179 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
2 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
31,35 zł 31,35 zł
19,18 zł 191,80 zł
17,03 zł 1 703,00 zł
16,94 zł 8 470,00 zł
16,90 zł 16 900,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
14,53 zł 43 590,00 zł
6 000 Oferta
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8 x 8
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
71 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
202 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 38 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 10.5 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 79 ns
Seria: SIHH EF
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 55 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 36 ns
Jednostka masy: 50 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Models

Technical Resources

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R(DS)ON) multiplied by gate charge (Qg). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at VGS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co(er) and Co(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

SiHH070N60EF Power MOSFET

Vishay SiHH070N60EF Power MOSFET features 4th generation E series technology, low Figure-of-Merit (FOM), and low effective capacitance. This power MOSFET is avalanche energy rated (UIS) and reduces switching and conduction losses. Typical applications include server and telecom power supplies, switch-mode power supplies (SMPS), power factor correction (PFC) power supplies, motor drives, battery chargers, and welding.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.