LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs are ideal for ultra-low-noise audio/acoustic applications. With an -55°C to +150°C operating junction temperature range, the LSK189 JFETs feature 1.8nV/√Hz typical noise, a low 4pF typical input capacitance, and 300mW maximum continuous power dissipation. The LSK189 single N-channel JFETs are available in RoHS-compliant TO-92 or SOT-23 packages.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło Napięcie odcięcia bramka–źródło Prąd dren–źródło przy Vgs=0 Id – Ciągły prąd drenu Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET 241Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET 56Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET Niedostępne na stanie
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel