Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MXB12R600DPHFC

Name: IXYS MXB12R600DPHFC
Brand: IXYS
SKU: 576-MXB12R600DPHFC
Price: 46.35 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

576-MXB12R600DPHFC

Nr prod.:

MXB12R600DPHFC

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFETs 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak

Karta charakterystyki:

MXB12R600DPHFC Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS MXB12R600DPHFC

Na stanie magazynowym: 240

Stany magazynowe:: 240 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 29 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	46,35 zł	46,35 zł
	37,71 zł	377,10 zł
	31,39 zł	3 139,00 zł
	25,37 zł	12 685,00 zł
	23,82 zł	23 820,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	ISOPLUS-i4-PAC-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	18 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	160 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 40 V, 40 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	37 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	ISOPLUS
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	30 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	70 ns
Wielkość opakowania producenta:	25
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	95 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	65 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MXB12R600DPHFC Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MXB12R600DPHFC X2-Class Power MOSFET

Littelfuse MXB12R600DPHFC X2-Class Power MOSFET offers an 18A current rating, 600V voltage rating, and 2190pF input capacitance. This MOSFET features fast switching, a robust design, and a HiPerDynFRED high-performance dynamic fast recovery diode. Littelfuse MXB12R600DPHFC X2-Class Power MOSFET is ideal for power factor correction, switch-mode power supplies, and uninterruptible power supplies.