CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
230Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
230Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 063Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
750Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
224Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
186Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
86Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
240Oczekiwane: 02.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 750
Wielokr.: 750
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel