RBR40NS Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBR40NS Schottky Barrier Diodes are designed for use in switching power supplies and feature 100A peak forward surge current. These diodes offer high reliability, low forward voltage, and 40A average rectified forward current. The RBR40NS Schottky barrier diodes are available in three variants with 30V, 40V, and 60V repetitive peak reverse voltages. These diodes are designed using silicon epitaxial planar type construction and come in a TO-263AB (D2PAK) package. The RBR40NS Schottky barrier diodes are RoHS compliant and operate within the -55°C to 150°C temperature range.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
945Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 40V 40A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
780Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000
Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 40 V 550 mV 100 A 430 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 60 V 600 mV 100 A 800 uA + 150 C Reel, Cut Tape