Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SQSA12CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQSA12CENW-T1_GE3
Price: 4.9 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SQSA12CENW-T1_GE3

Nr prod.:

SQSA12CENW-T1_GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Karta charakterystyki:

SQSA12CENW-T1_GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SQSA12CENW-T1_GE3

Na stanie magazynowym: 13 891

Stany magazynowe:: 13 891 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,90 zł	4,90 zł
	3,07 zł	30,70 zł
	2,03 zł	203,00 zł
	1,60 zł	800,00 zł
	1,44 zł	1 440,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,26 zł	3 780,00 zł
	1,17 zł	7 020,00 zł
	1,14 zł	10 260,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-1212-8W
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	18 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	22 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	31 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	62.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	47 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4 ns
Seria:	SQS
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	TrenchFET Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	25 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SQSA12CENW-T1_GE3 Karta charakterystyki

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET is an AEC-Q101 qualified TrenchFET^® power MOSFET. The SQSA12CENW MOSFET features an 18A I_D, 100V V_DS, and 0.022Ω R_DS(on). The Vishay / Siliconix SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET is available in a single PowerPAK^® 1212-8W package and is specified to a -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range.