XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R and XPJ102N09N8R N-channel MOSFETs feature low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency. Due to their excellent figure of merit (FOM), these MOSFETs are ideal for applications that require high-speed switching characteristics. The XPJ101N04N8R offers on-resistance of 4.4mΩ, while the XPJ102N09N8R offers 9.4mΩ, and both are packaged in a DFN5060-8L package that measures 6mm x 4.9mm x 1.1mm. Torex Semiconductor XPJ101N04N8R and XPJ102N09N8R MOSFETs are suitable for various applications, including DC motors and switching circuits.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Torex Semiconductor MOSFETs N-channel MOSFET 100V, 9.4mohm, 59A
Karta charakterystyki
3 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 59.2 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC + 150 C 62.5 W Enhancement Reel
Torex Semiconductor MOSFETs N-channel MOSFET 100V, 4.4mohm, 122A
Karta charakterystyki
3 000Oczekiwane: 21.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 122 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC + 150 C 125 W Enhancement Reel