A5G35H110N-3400

NXP Semiconductors
771-A5G35H110N-3400
A5G35H110N-3400

Produc.:

Opis:
RF Development Tools A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit

Na stanie magazynowym: 2

Stany magazynowe:
2 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
1 tydzień Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
2 079,61 zł 2 079,61 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
NXP
Kategoria produktów: Narzędzia do rozbudowy układów RF
RoHS: N
Evaluation Boards
RF Transistor
A5G35H110N
Marka: NXP Semiconductors
Maksymalna temperatura robocza: + 150 C
Minimalna temperatura robocza: - 55 C
Rodzaj produktu: RF Development Tools
Seria: A5G35H110N
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Nazwy umowne nr części: 935436625598
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:
9030908050
ECCN:
EAR99

A5G35H110N Evaluation Board

NXP Semiconductors A5G35H110N Evaluation Board is used with the A5G35H110N Airfast RF Power GaN Transistor. The board is designed for 32T, 320W radio units (10W avg. at each antenna). Its target band is B42, and it offers 2x more power in the same package as 64T solutions.