BFPx4 RF Transistors

Infineon BFPx4 RF Transistors provide the designer the best possible performance, superior flexibility and price/performance ratio. These are widely used for new emerging wireless applications, where the system specification is not yet firmly established. The BFxx Low Noise Amplifiers (LNAs) include devices suitable for use from AM over VHF/UHF up to 14GHz. These are the latest LNA innovations based on Infineon's reliable high volume 80GHz fT silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. They combine uncompromised RF performance with outstanding robustness against high RF input power overdrive and ESD.

Wszystkie wyniki (8)

Wybierz kategorię poniżej, aby zobaczyć opcje filtrowania i zawęzić kryteria wyszukiwania.
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS 7 655Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS 10 358Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS 13 795Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 15 000

Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR 8 724Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS DIODES 204 546Na stanie magazynowym
15 000Oczekiwane: 26.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 15 000

Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS 493Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 30.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR 1 083Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
5 416Oczekiwane: 02.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000