DI020N06D1 N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DI020N06D1 N-Channel Power MOSFETs offer a low on-state resistance, a low gate charge (25.3nC), and fast switching times with an Avalanche rating. With a wide -55°C to +175°C operating temperature range, these components offer a 60V drain-source breakdown voltage, 20A continuous drain current, and a 24mΩ on drain-source resistance. The TO-252AA packaged DI006H03SQ MOSFETs are for DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Nazwa handlowa Opakowanie
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 150C, N, AEC-Q101 1 799Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 20A, 175C, N 942Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT TO-252AA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 25.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement DI020N06D1 Reel, Cut Tape, MouseReel