Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

DI2579N

Name: Diotec Semiconductor DI2579N
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI2579N
Price: 1.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

637-DI2579N

Nr prod.:

DI2579N

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN

Karta charakterystyki:

DI2579N Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diotec Semiconductor DI2579N

Na stanie magazynowym: 637

Stany magazynowe:: 637 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 10 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	1,81 zł	1,81 zł
	1,41 zł	14,10 zł
	0,851 zł	85,10 zł
	0,839 zł	419,50 zł
	0,813 zł	813,00 zł
	0,722 zł	1 444,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4000)
	0,675 zł	2 700,00 zł
	0,482 zł	3 856,00 zł
	0,469 zł	11 256,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diotec Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-223
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	1 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	700 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	9 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1 V
Pd – strata mocy:	1.25 W
Wzmacniacze GBP fT:	0 Hz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diotec Semiconductor
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	20
Wrażliwość na wilgoć:	Yes
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	4000
Podkategoria:	Transistors
Nazwa handlowa:	DI2579N
Jednostka masy:	200 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DI2579N Karta charakterystyki (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Wysokonapięciowe tranzystory NPN SMD DI2579N

Wysokonapięciowe tranzystory NPN SMD DI2579N firmy Diotec Semiconductor oferują wysokie napięcie kolektor-emiter sprzężone z niskim napięciem nasycenia. Układy te charakteryzują się napięciem kolektor-emiter o wartości 700 V, prądem kolektora 1 A i rozpraszaniem mocy rzędu 1,25 W. Wysokonapięciowe tranzystory NPN SMD DI2579N firmy Diotec Semiconductor nadają się idealnie do przetwarzania sygnału, przełączania, wzmocnienia i zastosowań komercyjnych.