Wyniki: 37
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3 2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 2 445Na stanie magazynowym
17 500Oczekiwane: 25.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 945Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 4.68 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 435Na stanie magazynowym
9 000Oczekiwane: 26.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 1 475Na stanie magazynowym
12 000Oczekiwane: 05.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE 198Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 26.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
680Oczekiwane: 24.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 1 737Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 3.51 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
2 462Oczekiwane: 24.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.9 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 82 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V TO-220FP-3 Czas realizacji 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 17 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 13 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube