SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SQ4946CEY-T1_GE3

Na stanie magazynowym: 20 410

Stany magazynowe:
20 410 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
3 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
5,68 zł 5,68 zł
3,57 zł 35,70 zł
2,38 zł 238,00 zł
1,87 zł 935,00 zł
1,70 zł 1 700,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
1,52 zł 3 800,00 zł
1,43 zł 7 150,00 zł
1,39 zł 34 750,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
7 A
82.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
14.3 nC
- 55 C
+ 175 C
4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Czas zanikania: 3 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 15 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 4 ns
Seria: SQ
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: TrenchFET Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 17 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 8 ns
Jednostka masy: 750 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

48V DC/DC Converters

Vishay 48V DC/DC Converters are used in the products that need to remain 12V battery load while 48V battery is used in the vehicles. These converters can bring down 48V-12V, so the converter is a significant application for future cars. Different topologies are made possible with these devices like multiphase coupled and non-coupled inductors. Vishay offers a broad portfolio of solutions with standard devices like MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, inductors, and customized magnetic solutions.

SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET offers 60VDS drain-source voltage, ±100nA gate-source leakage, and 865pF maximum input capacitance. This MOSFET features TrenchFET® power and is ideal for automotive applications. Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, 100% Rg and UIS tested, RoHS-compliant, and halogen-free.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.