Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MJE13007G

Name: onsemi MJE13007G
Brand: onsemi
SKU: 863-MJE13007G
Price: 8.11 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-MJE13007G

Nr prod.:

MJE13007G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN

Karta charakterystyki:

MJE13007G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi MJE13007G

Na stanie magazynowym: 5 293

Stany magazynowe:: 5 293 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 30 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 150

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,11 zł	8,11 zł
	4,79 zł	47,90 zł
	3,33 zł	333,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	8 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	400 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	700 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	9 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1 V
Pd – strata mocy:	80 W
Wzmacniacze GBP fT:	14 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 65 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MJE13007
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Ciągły prąd kolektora:	8 A
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	8
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MJE13007G Karta charakterystyki

PCN

SPICE Models

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Malezja

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor

onsemi FJP13007 High Voltage NPN Power Transistor features high voltage capability and high switching speed. The FJP13007 is suitable for electronic ballast and switching mode power supplies.