1200V Trench XPT™ IGBTs with Sonic Diodes

Littelfuse 1200V Trench XPT™ Insulated-gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Sonic Diodes are developed using XPT thin-wafer technology and Trench IGBT processes. The transistors feature reduced thermal resistance and are optimized for low switching loss. Littelfuse 1200V Trench XPT IGBTs with Sonic Diodes offer a high current handling capacity, high power density, and an anti-parallel sonic diode. These Trench XPT transistors are ideal for power inverter, motor drive, power factor correction (PFC) circuit, and battery charger applications.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
IXYS IGBTs IXYK85N120C4H1
Karta charakterystyki
971Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IXYH40N120B4H1
Karta charakterystyki
346Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120C4H1
Karta charakterystyki
363Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120B4H1
Karta charakterystyki
315Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT Modules IXYN110N120B4H1
Karta charakterystyki
233Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT Modules IXYN110N120C4H1
Karta charakterystyki
106Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT Modules IXYN85N120C4H1
Karta charakterystyki
213Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBTs IXYH30N120C4H1
Karta charakterystyki
288Oczekiwane: 18.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
Karta charakterystyki
630Oczekiwane: 13.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3