1200V Trench XPT™ IGBTs with Sonic Diodes

Littelfuse 1200V Trench XPT™ Insulated-gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Sonic Diodes are developed using XPT thin-wafer technology and Trench IGBT processes. The transistors feature reduced thermal resistance and are optimized for low switching loss. Littelfuse 1200V Trench XPT IGBTs with Sonic Diodes offer a high current handling capacity, high power density, and an anti-parallel sonic diode. These Trench XPT transistors are ideal for power inverter, motor drive, power factor correction (PFC) circuit, and battery charger applications.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
IXYS IGBTs IXYH30N120C4H1 8Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 08.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1 384Na stanie magazynowym
630Oczekiwane: 10.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYK85N120C4H1 977Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IXYH40N120B4H1 346Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120C4H1 363Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120B4H1 315Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT Modules IXYN110N120B4H1 256Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT Modules IXYN110N120C4H1 139Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT Modules IXYN85N120C4H1 367Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B