Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NCV51705MNTWG

Name: onsemi NCV51705MNTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51705MNTWG
Price: 7.48 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NCV51705MNTWG

Nr prod.:

NCV51705MNTWG

Produc.:

onsemi

Opis:

Gate Drivers Automotive SiC MOSFET Driver, Low-Side, Single 6 A High-Speed Automotive Qual

Karta charakterystyki:

NCV51705MNTWG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NCV51705MNTWG

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 32 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 3000 Wielokrotności: 3000

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	7,48 zł	22 440,00 zł
	7,40 zł	44 400,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Sterowniki bramki
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Rodzaj:	Low-Side
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	QFN-24
Liczba sterowników:	1 Driver
Liczba wyjść:	1 Output
Prąd wyjścia:	6 A
Napięcie zasilania – min.:	10 V
Napięcie zasilania – max.:	22 V
Czas narastania:	8 ns
Czas zanikania:	8 ns
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Seria:	NCV51705
Kwalifikacje:	AEC-Q100
Opakowanie:	Reel
Marka:	onsemi
Rodzaj logiki:	TTL
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia:	50 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia:	50 ns
Prąd roboczy zasilania:	12 mA
Pd – strata mocy:	2.9 W
Rodzaj produktu:	Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	PMIC - Power Management ICs
Technologia:	SiC
Jednostka masy:	1 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NCV51705MNTWG Karta charakterystyki

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NCV51705 High-Speed Low-Side SiC MOSFET Driver

onsemi NCV51705 High-Speed Low-Side SiC MOSFET Driver is designed to provide high-peak current during turn-on and turn-off, minimizing switching losses. For improved reliability, dV/dt immunity, and even faster turn-off, the NCV51705 can utilize its onboard charge pump to generate a user-selectable negative voltage rail. For isolated applications, the NCV51705 also provides an externally accessible 5V rail to power the secondary side of digital or high-speed opto isolators. The NCV51705 offers important protection functions such as under-voltage lockout monitoring for the bias power.