EVLSTDRIVEG610Q

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG610Q
EVLSTDRIVEG610Q

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools Demonstration board STDRIVEG611 high volt high speed half-bridge gate driver GaN

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.

Na stanie magazynowym: 31

Stany magazynowe:
31 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 10
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
216,33 zł 216,33 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
9 V to 18 V
STDRIVEG610
Marka: STMicroelectronics
Wymiary: 70 mm x 56 mm
Opakowanie: Bulk
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
9023000000
ECCN:
EAR99

EVLSTDRIVEG610Q Evaluation Board

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG610Q Evaluation Board is based on the STDRIVEG610 high-speed, half-bridge gate driver, which is optimized to drive high-voltage, enhanced-mode, GaN HEMTs. The STDRIVEG610 offers separated high current sink/source gate driving pins, integrated LDOs, bootstrap diode, undervoltage, high-side fast startup, overtemperature, fault and shutdown pins, and standby to support hard switching topologies in a 4mm x 5mm QFN package.