Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVTYS020N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS020N08HLTWG
Price: 5.93 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVTYS020N08HLTWG

Nr prod.:

NVTYS020N08HLTWG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

NVTYS020N08HLTWG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVTYS020N08HLTWG

Na stanie magazynowym: 220

Stany magazynowe:: 220 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,93 zł	5,93 zł
	5,25 zł	52,50 zł
	3,47 zł	347,00 zł
	2,39 zł	1 195,00 zł
	2,14 zł	2 140,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,45 zł	4 350,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	LFPAK-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	20 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	12 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	42 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	5.6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	35 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	24.3 mOhms
Seria:	NVTYS020N08HL
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15.3 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVTYS020N08HLTWG Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTYS020N08HL Power MOSFET

onsemi NVTYS020N08HL Power MOSFET is an 80V, 20mΩ, and 30A single N-channel MOSFET built with a compact and efficient design for high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(ON) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The NVTYS020N08HL power MOSFET is AEC-Q101-qualified and is PPAP-capable. This MOSFET is suitable for reverse battery protection, power switches, switching power supplies, and other automotive applications.