Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RGW00TK65DGVC11

Name: ROHM Semiconductor RGW00TK65DGVC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGW00TK65DGVC11
Price: 30.57 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RGW00TK65DGVC11

Nr prod.:

RGW00TK65DGVC11

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Karta charakterystyki:

RGW00TK65DGVC11 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RGW00TK65DGVC11

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	30,57 zł	30,57 zł
	17,89 zł	178,90 zł
	15,09 zł	1 509,00 zł
	13,85 zł	6 232,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-3PFM-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.9 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	30 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	45 A
Pd – strata mocy:	89 W
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	ROHM Semiconductor
Prąd upływowy bramka–emiter:	200 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	IGBTs
Nazwy umowne nr części:	RGW00TK65D

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RGW00TK65DGVC11 Karta charakterystyki (PDF)

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.