RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.

Wyniki: 42
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 89 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 96 A 254 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO3P 650V 16A TRNCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 34 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 27 A 61 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 64 A 178 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 80 A 214 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 34 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 34 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 88 A 245 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 34 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 71 A 202 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 60A TRNCH
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 34 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2 V 30 V 104 A 288 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 450
Wielokr.: 450

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 132 A 348 W - 40 C + 175 C Tube