NVMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET features low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low QG/capacitance to minimize driver losses. The NVMFS3D6N10MCL MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This onsemi MOSFET comes in a small DFN5 flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include 48V systems, switching power supplies, power switches (high-side drivers, low-side drivers, and H-bridges), and reverse battery protection.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
onsemi MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET 3 056Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 60 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE FLANK FOR AUTOMOTIVE MARKET 2 616Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel