Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
onsemi MOSFETs 600V NCH FRFET 10 538Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs 600V N-CH FRFET 462Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET FRFET Tube
onsemi MOSFETs 400V N-Channel 6 094Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 400 V 23 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement UniFET Tube