Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 3.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

781-SIA427DJ-T1-GE3

Nr prod.:

SIA427DJ-T1-GE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

Karta charakterystyki:

SIA427DJ-T1-GE3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SIA427DJ-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 62 486

Stany magazynowe:: 62 486 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 7 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,99 zł	3,99 zł
	2,86 zł	28,60 zł
	1,78 zł	178,00 zł
	1,23 zł	615,00 zł
	1,09 zł	1 090,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,925 zł	2 775,00 zł
	0,791 zł	4 746,00 zł
	0,735 zł	6 615,00 zł
	0,662 zł	15 888,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SC-70-6
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	8 V
Id – Ciągły prąd drenu:	12 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	95 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, 5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	800 mV
Qg – ładunek bramki:	50 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	19 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	SIA
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	SIA427DJ-GE3
Jednostka masy:	11,688 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIA427DJ-T1-GE3 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SiA427DJ 8V TrenchFET^® Power MOSFETs have the lowest on-resistance for a p-channel device in the thermally enhanced PowerPAK® SC-70 2mm by 2mm footprint area. The on-resistance of the SiA427DJ is up to 47% lower than the closest competing p-channel device. The 1.2V low on-resistance rating of SiA427DJ TrenchFET power MOSFETs makes them ideal for low bus voltages.