NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module

onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module offers three channels, higher output power, and easy module mounting. Each channel contains two 1000V, 100A IGBTs, two 1200V, 30A SiC diodes, and two 1600V, 30A bypass diodes. The Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses, with the flexibility to support different manufacturing processes.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi IGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Karta charakterystyki
72Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 36
Wielokr.: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray