Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SICW080N120Y-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120Y-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW080N120Y-BP
Price: 72.54 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

833-SICW080N120Y-BP

Nr prod.:

SICW080N120Y-BP

Produc.:

Micro Commercial Components (MCC)

Opis:

SiC MOSFETs

Karta charakterystyki:

SICW080N120Y-BP Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120Y-BP

Na stanie magazynowym: 1 737

Stany magazynowe:: 1 737 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 1737 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	72,54 zł	72,54 zł
	59,68 zł	596,80 zł
	51,64 zł	5 164,00 zł
	51,60 zł	25 800,00 zł
	47,95 zł	47 950,00 zł
1 800	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Micro Commercial Components (MCC)
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	38 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	85 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.6 V
Qg – ładunek bramki:	41 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	220 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Micro Commercial Components (MCC)
Opakowanie:	Bulk
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Seria:	SICW080N120Y
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SICW080N120Y-BP Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SiC N-Channel MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) 1200V SiC N-Channel MOSFET is designed for high switching frequency and high blocking voltage with low on-resistance and avalanche capability. This MOSFET operates within a gate-source voltage of -4V to 18V and performs optimally at 18V. The 1200V n-channel MOSFET at operates on a temperature range of -55°C to 175°C and thermal resistance of 0.68°C /W junction to case. This MOSFET is halogen-free, lead-free/RoHS compliant, and includes epoxy with a flammability rating of UL 94 V-0. The applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, battery chargers, and motor drivers. SICW080N120Y-BP