Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 13.76 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMTS0D7N04CTXG

Nr prod.:

NTMTS0D7N04CTXG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH

Karta charakterystyki:

NTMTS0D7N04CTXG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMTS0D7N04CTXG

Na stanie magazynowym: 1 628

Stany magazynowe:: 1 628 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 13 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	13,76 zł	13,76 zł
	9,03 zł	90,30 zł
	6,28 zł	628,00 zł
	5,55 zł	2 775,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,73 zł	14 190,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFNW-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	420 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	670 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	140 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	205 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	20.4 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	200 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18.1 ns
Seria:	NTMTS0D7N04C
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	61 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	28.9 ns
Jednostka masy:	319,280 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMTS0D7N04CTXG Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET is produced using onsemi’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process minimizes on-state resistance while maintaining superior switching performance with a leading soft body diode. The onsemi NTMTS0D7N04C offers 420A continuous drain current (I_D) and a low drain-to-source on-resistance (R_DS(on) of 0.67mΩ (max.).