Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A 50 970Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-3030-8 N-Channel 1 Channel 30 V 7.44 A 11 mOhms - 25 V, 25 V 800 mV 9.47 nC - 55 C + 150 C 940 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM 8 078Na stanie magazynowym
12 500Oczekiwane: 09.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.5 A 16 mOhms - 25 V, 25 V 800 mV 8.56 nC - 55 C + 150 C 1.17 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A 877Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 9.7 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 18.85 nC - 55 C + 150 C 1.68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A 4 439Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12 mOhms - 25 V, 25 V 800 mV 8.7 nC - 55 C + 150 C 1.71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-3030-8 N-Channel 1 Channel 30 V 7.62 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18.85 nC - 55 C + 150 C 990 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel