Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

UF3N120007K4S

Name: onsemi UF3N120007K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF3N120007K4S
Price: 251.12 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

772-UF3N120007K4S

Nr prod.:

UF3N120007K4S

Produc.:

onsemi

Opis:

JFETs UF3N120007K4S

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

UF3N120007K4S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi UF3N120007K4S

Na stanie magazynowym: 1 424

Stany magazynowe:: 1 424 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	251,12 zł	251,12 zł
	208,21 zł	2 082,10 zł
	185,72 zł	22 286,40 zł
1 020	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory JFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Konfiguracja:	Single
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 30 V to 30 V
Prąd dren–źródło przy Vgs=0:	20 uA
Id – Ciągły prąd drenu:	120 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	7.1 mOhms
Pd – strata mocy:	789 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	UF3N
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Rodzaj produktu:	JFETs
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

UF3N120007K4S Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3N120007K4S 1200V JFET N-Channel Transistor

onsemi UF3N120007K4S 1200V EliteSic JFET N-Channel Transistor is a 1200V, 7.1mΩ high-performance Gen 3 normally-on SiC JFET transistor. This device exhibits ultra-low on-resistance [R_DS(ON)] in a TO247-4 package, making it ideal for addressing the challenging thermal constraints of solid-state circuit breakers and relay applications. The onsemi UF3N120007K4SJFET is a robust technology capable of the high-energy switching required in circuit protection applications.