Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SICW028N120A4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW028N120A4-BP
Price: 75.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

833-SICW028N120A4-BP

Nr prod.:

SICW028N120A4-BP

Produc.:

Micro Commercial Components (MCC)

Opis:

SiC MOSFETs

Karta charakterystyki:

SICW028N120A4-BP Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4-BP

Na stanie magazynowym: 346

Stany magazynowe:: 346 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	75,38 zł	75,38 zł
	59,47 zł	594,70 zł
	58,91 zł	5 891,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Micro Commercial Components (MCC)
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	30 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	168 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	375 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11 ns
Opakowanie:	Bulk
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	13 ns
Seria:	SICW028N120A4
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	42.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	14 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SICW028N120A4-BP Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.

SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET is designed with a low on-resistance of just 28mΩ at a gate-source voltage of 18V. This N-channel MOSFET works well with the popular D2PAK 4-pin footprint and includes a Kelvin source pin to reduce switching losses and boost energy efficiency significantly. This SICW028N120A4 MOSFET features a high avalanche ruggedness and has the ability to operate at high junction temperatures of 175°C. This MOSFET ensures superior thermal performance and efficient heat management, eliminating the need for additional cooling components while increasing product reliability and lifespan. The SICW028N120A4 MOSFET is a robust and reliable solution for a host of industrial and commercial applications dealing in harsh environments.