Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SISD5300DN-T1-GE3

Name: Vishay SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISD5300DN-T1-GE3
Price: 8.86 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SISD5300DN-T1-GE3

Nr prod.:

SISD5300DN-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A

Karta charakterystyki:

SISD5300DN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SISD5300DN-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 4 418

Stany magazynowe:: 4 418 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,86 zł	8,86 zł
	5,68 zł	56,80 zł
	3,92 zł	392,00 zł
	3,11 zł	1 555,00 zł
	3,01 zł	3 010,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,59 zł	7 770,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK 1212-F-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	198 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	870 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	27 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	57 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	15 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	162 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	90 ns
Seria:	SISD
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	32 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	26 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SISD5300DN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET utilizing source flip technology that enhances thermal performance. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, SiSD5300DN features a very low drain-source resistance and gate charge figure of merit (FOM). Applications include DC/DC converters, synchronous rectification, battery management, O-rings, and load switches.

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.