Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
5 082Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
949Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube