Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFD5C672NLT1G

Name: onsemi NTMFD5C672NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD5C672NLT1G
Price: 4.95 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFD5C672NLT1G

Nr prod.:

NTMFD5C672NLT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T6 60V LL S08FL DS

Karta charakterystyki:

NTMFD5C672NLT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFD5C672NLT1G

Na stanie magazynowym: 1 115

Stany magazynowe:: 1 115 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,95 zł	4,95 zł
	3,12 zł	31,20 zł
	2,06 zł	206,00 zł
	1,61 zł	805,00 zł
	1,39 zł	1 390,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	1,28 zł	1 920,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8FL-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	49 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	11.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.2 V
Qg – ładunek bramki:	12.3 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	3.1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Czas zanikania:	28 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	27.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	30 ns
Seria:	NTMFD5C672NL
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	22 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFD5C672NLT1G Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs including high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(on), low QG and capacitance, 60V drain to source voltage, 146A pulsed drain current, and -55°C to 175°C operating junction temperature range. The NTMFD5C672NL dual N-channel power MOSFET is Pb, Halogen/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include motor control, power switches (High-side driver, low-side driver, and H-bridges), synchronous DC to DC regulator, and battery management and protection.