Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 15.87 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-AFGB30T65RQDN

Nr prod.:

AFGB30T65RQDN

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

AFGB30T65RQDN Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi AFGB30T65RQDN

Na stanie magazynowym: 560

Stany magazynowe:: 560 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	15,87 zł	15,87 zł
	10,45 zł	104,50 zł
	7,78 zł	778,00 zł
	6,97 zł	3 485,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	6,15 zł	4 920,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.58 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V, 30 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	68 A
Pd – strata mocy:	235.48 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	AFGB30T65RQDN
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Rodzaj produktu:	IGBTs
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

AFGB30T65RQDN Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.