80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (RDS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (Ciss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (COSS) lowers the output charge (QOSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
Karta charakterystyki
894Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
Karta charakterystyki
4 465Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
Karta charakterystyki
5 924Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
Karta charakterystyki
71Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
Karta charakterystyki
268Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
Karta charakterystyki
488Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
Karta charakterystyki
129Na stanie magazynowym
10 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
Karta charakterystyki
435Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
Karta charakterystyki
39Na stanie magazynowym
20 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
Karta charakterystyki
150Oczekiwane: 17.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube