P02SCT3040KR-EVK-001

ROHM Semiconductor
755-P02SCT3040KREVK1
P02SCT3040KR-EVK-001

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools SiC MOSFET Eval Brd TO-247-4L H. Bridge

Cykl życia:
NRND:
Niezalecane dla nowych projektów.

Na stanie magazynowym: 4

Stany magazynowe:
4 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 4 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 922,96 zł 1 922,96 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
SCT3080KR
Marka: ROHM Semiconductor
Opakowanie: Bulk
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Jednostka masy: 1 kg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8473302000
CNHTS:
8543709990
USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board

ROHM P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board is for the evaluation of the SCT3040KR, a 1200V 55A N-Channel SiC Power MOSFET. The evaluation board is based on the most common circuit configuration known as a half-bridge circuit. To obtain appropriate evaluation conditions with simple preparation, this board is equipped with an isolated power supply for the attached driver circuit. The board also includes an overcurrent protection circuit and a gate signal protection circuit.