Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

CGHV38375F

Name: MACOM CGHV38375F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV38375F
Price: 4392.62 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-CGHV38375F

Nr prod.:

CGHV38375F

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V

Karta charakterystyki:

CGHV38375F Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM CGHV38375F

Alert dotyczący wysyłki:

Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Na stanie magazynowym: 5

Stany magazynowe:: 5 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4 392,62 zł	4 392,62 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
Ograniczenia dotyczące wysyłki	Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	440226
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	125 V
Id – Ciągły prąd drenu:	24 A
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Marka:	MACOM
Wzmocnienie:	11 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	3.75 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	2.75 GHz
Moc wyjściowa:	400 W
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V, 2 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CGHV38375F Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900

Tranzystor CGHV38375F o mocy 400 W, typu IM, wykonany w technologii „GaN-on-SiC”

Oferowany przez firmę Wolfspeed tranzystor CGHV38375F (IM-FET) o mocy 400 W został wykonany w technologii „GaN-on-SiC”. Pracuje w zakresie częstotliwości od 2,75 GHz do 3,75 GHz. Układ HPA o mocy 400 W jest dopasowany do impedancji 50 Ω na portach wejściowym i wyjściowym. Układ CGHV38375F działa w zakresie od 2,75 GHz do 3,75 GHz, pokrywając całe pasmo radarowe S-Band.