Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMTSC1D5N08MC

Name: onsemi NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTSC1D5N08MC
Price: 32.89 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMTSC1D5N08MC

Nr prod.:

NTMTSC1D5N08MC

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88

Karta charakterystyki:

NTMTSC1D5N08MC Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMTSC1D5N08MC

Na stanie magazynowym: 1 846

Stany magazynowe:: 1 846 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 52 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	32,89 zł	32,89 zł
	22,43 zł	224,30 zł
	16,55 zł	1 655,00 zł
	16,42 zł	8 210,00 zł
	15,54 zł	15 540,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	15,54 zł	46 620,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	287 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.56 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	101 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	250 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	31 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	219 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	24 ns
Seria:	NTMTSC1D5N08MC
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	69 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	30 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMTSC1D5N08MC Karta charakterystyki

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Filipiny
Kraj montażu:: Filipiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NTMTSC1D5N08MC Power MOSFET

onsemi NTMTSC1D5N08MC Power MOSFET is a single N-channel Dual COOL^®MOSFET with a small footprint (8mm x 8mm) for compact designs. This MOSFET offers 80V drain to source voltage and 287A drain current. The NTMTSC1D5N08MC MOSFET features low Q_G and capacitance to minimize driver losses. This MOSFET is suitable for power tools, battery-operated vacuums, UAVs/drones, material handling, BMS/storage, and home automation.

Industrial Motor Drives

onsemi Industrial Motor Drives are designed for global sustainability, supplying efficient, renewable technologies and intelligent power. According to the 2020 Motor System Market Analysis (MSMA), published by the US Department of Energy (DOE), industrial pumps and drives annually consume almost 15% of the total US grid. The 2020 MSMA also estimates that 32.3 million metric tons of CO₂ emissions can be saved annually using VFDs. onsemi manufactures a broad range of VFD semiconductor components, including gate drivers, MOSFETs, IGBTs, and EliteSiC.