Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

M2TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2TP80M12W2-2LA
Price: 177.79 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-M2TP80M12W2-2LA

Nr prod.:

M2TP80M12W2-2LA

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

M2TP80M12W2-2LA Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA

Na stanie magazynowym: 127

Stany magazynowe:: 127 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	177,79 zł	177,79 zł
	146,54 zł	1 611,94 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Styl mocowania:	Press Fit
Liczba kanałów:	6 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	114 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Wysokość:	5.7 mm
Długość:	44 mm
Produkt:	Power Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Kwalifikacje:	AQG 324
Wielkość opakowania producenta:	11
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.1 V
Szerokość:	27.4 mm
Jednostka masy:	13 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

M2TP80M12W2-2LA Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-9-17 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

M2TP80M12W2-2LA Automotive Power Module

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Automotive Power Module offers a three-phase four-wire PFC topology with integrated NTC, tailored for the PFC stage of the OBC in hybrid and electric vehicles. The power module integrates six second-generation silicon carbide Power MOSFETs. The well-recognized chip technology allows the STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA to minimize energy losses and operate in a high switching frequency mode. The module lets users create complex topologies with very high power densities and high efficiency requirements.