Wireless Driver Amplifiers

Infineon Technologies Wireless Driver Amplifiers can be used as pre-drivers or drivers in RF applications from massive MIMO 5G base stations to small cells and access points. The tiny but mighty amplifiers typically sit between transceiver IC and power amplifier but can also be used as power amplifiers for low-power applications. The Infineon Technologies Driver Amplifiers boast high linearity and an excellent wide-band gain flatness for optimum linearization results of the driven PA.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
NF – współczynnik szumów
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
P1dB – Punkt kompresji
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
Karta charakterystyki
5 932Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 6 000

3.1 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 38.5 dB 3.3 dB Driver Amplifiers SMD/SMT VQFN-24 31 dBm 41.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
Karta charakterystyki
1 999Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

2.3 GHz to 2.7 GHz 3.3 V 34.4 dB 3.5 dB Power Amplifiers TSNP-16 SiGe 32.2 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
Karta charakterystyki
1 996Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 35.1 dB 3.4 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.3 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
Karta charakterystyki
1 995Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

3.3 MHz to 4.2 MHz 4.75 V to 5.25 V 35.2 dB 3.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.5 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
Karta charakterystyki
1 984Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 34.8 dB 3.8 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.2 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
Karta charakterystyki
1 082Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

3.3 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 35 dB 3.2 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

3.3 GHz to 4.2 GHz 3.15 V to 3.45 V 1.7 mA 34.4 dB 3.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 SiGe 27.8 dBm 37 dBm - 40 C + 115 C Reel