RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs are 40V drain-source voltage (VDSS) and ±40A continuous drain current (ID) rated automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. These MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)] and are available in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7G04 MOSFETs are ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 P CHAN 30V
Karta charakterystyki
2 695Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 40V
Karta charakterystyki
3 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 40V
Karta charakterystyki
2 995Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape