Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 5 432Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 119Na stanie magazynowym
16 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 131Na stanie magazynowym
4 500Oczekiwane: 18.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 180Na stanie magazynowym
19 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 34Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 06.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 213Na stanie magazynowym
6 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE 26Na stanie magazynowym
1 500Oczekiwane: 24.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
5 907Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 310
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape